Method for manufacturing a polysilicon type thin film transistor

   
   

A method for manufacturing a polysilicon type thin film transistor comprises the steps of forming a polysilicon layer on a substrate, forming a gate insulating layer on the polysilicon layer, forming a gate layer on the gate insulating layer, forming a gate pattern by patterning, implanting impurities in the substrate over which the gate pattern is formed, forming a cover layer over the substrate in which impurities are implanted, and thermally annealing the substrate over which the cover layer is formed. In the invention, the thermal annealing is carried out instead of a costly laser annealing after the impurity implantation.

Een methode om een polysilicon type dunne filmtransistor te vervaardigen bestaat uit de stappen van het vormen van een polysilicon laag die op een substraat, een poort het isoleren laag op de polysilicon laag vormt, die een poortlaag op de poort het isoleren laag vormt die, die een poortpatroon vormt door te vormen, onzuiverheden in het substraat inplanteert waarover het poortpatroon wordt gevormd, een dekkingslaag over het substraat vormt waarin de onzuiverheden worden geïnplanteerd, en thermaal het substraat onthardt waarover de dekkingslaag wordt gevormd. In de uitvinding, het thermische wordt ontharden uitgevoerd in plaats van het dure laser ontharden na de onzuiverheidsinplanting.

 
Web www.patentalert.com

< Support for lithographic printing plate and presensitized plate

< Negative-type photosensitive resin composition

> High-lubricity grease and modifier for lubricating grease

> Additive for rubber composition, additive composition for rubber composition, rubber composition and tire

~ 00139