A method for manufacturing a polysilicon type thin film transistor
comprises the steps of forming a polysilicon layer on a substrate, forming
a gate insulating layer on the polysilicon layer, forming a gate layer on
the gate insulating layer, forming a gate pattern by patterning,
implanting impurities in the substrate over which the gate pattern is
formed, forming a cover layer over the substrate in which impurities are
implanted, and thermally annealing the substrate over which the cover
layer is formed. In the invention, the thermal annealing is carried out
instead of a costly laser annealing after the impurity implantation.
Een methode om een polysilicon type dunne filmtransistor te vervaardigen bestaat uit de stappen van het vormen van een polysilicon laag die op een substraat, een poort het isoleren laag op de polysilicon laag vormt, die een poortlaag op de poort het isoleren laag vormt die, die een poortpatroon vormt door te vormen, onzuiverheden in het substraat inplanteert waarover het poortpatroon wordt gevormd, een dekkingslaag over het substraat vormt waarin de onzuiverheden worden geïnplanteerd, en thermaal het substraat onthardt waarover de dekkingslaag wordt gevormd. In de uitvinding, het thermische wordt ontharden uitgevoerd in plaats van het dure laser ontharden na de onzuiverheidsinplanting.
