In a method for operating an MRAM semiconductor memory configuration, for
the purpose of reading an item of stored information, reversible magnetic
changes are made to the TMR cell and a current that is momentarily altered
as a result is compared with the original read signal. As a result, the
TMR memory cell itself can serve as a reference, even though the
information in the TMR memory cell is not destroyed, i.e. writing-back
does not have to be effected. The method can preferably be applied to an
MRAM memory configuration in which a plurality of TMR cells are connected,
in parallel, to a selection transistor and in which there is a write line
which is not electrically connected to the memory cell.
Dans une méthode pour actionner une configuration de mémoire à semiconducteurs de MRAM, afin de lire un article d'information stockée, des changements magnétiques réversibles sont faits à la cellule de TMR et un courant qui est momentanément changé en conséquence est comparé au signal lu par original. En conséquence, la cellule de mémoire de TMR elle-même peut servir de référence, quoique l'information dans la cellule de mémoire de TMR ne soit pas détruite, c.-à-d. l'écriture-en arrière ne doit pas être effectuée. La méthode peut de préférence être appliquée à une configuration de mémoire de MRAM dans laquelle une pluralité de cellules de TMR sont reliées, en parallèle, à un transistor de choix et dans ce qui il y a une ligne d'inscription qui n'est pas électriquement reliée à la cellule de mémoire.
