Methods used in semiconductor electroplating systems, such as for plating
copper, onto a semiconductor wafer or other semiconductor workpiece. The
methods apply to patterned metal layers plated onto a seed layer which is
partially protected by an overlying photoresist or other coating. The
methods employ an electrode assembly which has a boot which seals about a
contact face of the electrode. The sealing is performed by engaging the
seal against photoresist to prevent corrosion of the seal layer. The area
enclosed by the sealing includes a via which is surrounded by the seal.
The electrode contact extends through the via to provide electrical
contact with the metallic seed layer. Plating of copper or other metal
proceeds at exposed seed layer areas.
Методы используемые в системах полупроводника гальванизируя, such as для медь плакировкой, на вафлю полупроводника или другой workpiece полупроводника. Методы применяются к сделанным по образцу слоям металла покрынным на слой семени частично защищен overlying фоторезистом или другим покрытием. Методы используют агрегат электрода имеет ботинок герметизирует о стороне контакта электрода. Запечатывание выполнено путем включать уплотнение против фоторезиста предотвратить корозию слоя уплотнения. Область заключенная запечатыванием вклюает а через окружает уплотнением. Контакт электрода проходит через через для предусмотрения электрического контакта с металлическим слоем семени. Плакировка меди или другого металла продолжает на, котор подвергли действию зонах слоя семени.
