Methods for depositing a metal into a micro-recessed structure in the
surface of a microelectronic workpiece are disclosed. The methods are
suitable for use in connection with additive free as well as additive
containing electroplating solutions. In accordance with one embodiment,
the method includes making contact between the surface of the
microelectronic workpiece and an electroplating solution in an
electroplating cell that includes a cathode formed by the surface of the
microelectronic workpiece and an anode disposed in electrical contact with
the electroplating solution. Next, an initial film of the metal is
deposited into the micro-recessed structure using at least a first
electroplating waveform having a first current density. The first current
density of the first electroplating waveform is provided to enhance the
deposition of the metal at a bottom of the micro-recessed structure. After
this initial plating, deposition of the metal is continued using at least
a second electroplating waveform having a second current density. The
second current density of the second electroplating waveform is provided
to assist in reducing the time required to substantially complete filling
of the micro-recessed structure.
Os métodos para depositar um metal em uma estrutura micro-micro-recessed na superfície de um workpiece microelectronic são divulgados. Os métodos são apropriados para o uso em relação ao aditivo livre as.well.as o aditivo que contem soluções electroplating. De acordo com uma incorporação, o método inclui fazer o contato entre a superfície do workpiece microelectronic e uma solução electroplating em uma pilha electroplating que inclua um cátodo dado forma pela superfície do workpiece microelectronic e por um ânodo disposto no contato elétrico com a solução electroplating. Em seguida, uma película inicial do metal é depositada na estrutura micro-micro-recessed usando ao menos um primeiro waveform electroplating que tem uma primeira densidade atual. A primeira densidade atual do primeiro waveform electroplating é fornecida para realçar o deposition do metal em um fundo da estrutura micro-micro-recessed. Após este chapeamento inicial, o deposition do metal é continuado usando ao menos um segundo waveform electroplating que tem uma segunda densidade atual. A segunda densidade atual do segundo waveform electroplating é fornecida à assistência em reduzir o tempo requerido para terminar substancialmente o enchimento da estrutura micro-micro-recessed.
