A method of forming a dual damascene structure on a substrate having a
dielectric layer already formed thereon. In one embodiment the method
includes depositing a first hard mask layer over the dielectric layer and
depositing a second hard mask layer on the first hard mask layer, where
the second hard mask layer is an amorphous silicon layer. Afterwards,
formation of the dual damascene structure is completed by etching a metal
wiring pattern and a via pattern in the dielectric layer and filling the
etched metal wiring pattern and via pattern with a conductive material.
Un metodo di formare una struttura damascene doppia su un substrato che fa formare uno strato dielettrico già su ciò. In un incorporamento il metodo include depositare un primo strato duro della mascherina sopra lo strato dielettrico e depositare un secondo strato duro della mascherina sul primo strato duro della mascherina, dove il secondo strato duro della mascherina è uno strato amorfo del silicone. In seguito, la formazione della struttura damascene doppia è completata incidendo un modello dei collegamenti del metallo e una a all'acquaforte via il modello nello strato dielettrico e nel materiale da otturazione il modello inciso dei collegamenti del metallo e via il modello con un materiale conduttivo.
