A semiconductor integrated circuit device includes first and second
nonvolatile semiconductor memory cells and a write control circuit. The
write control circuit supplies a first pre-programming pulse, a second
pre-programming pulse and staircase programming pulses simultaneously to
the first and second memory cells independently of the write statuses
thereof. The second pre-programming pulse is higher than the first
pre-programming pulse by a first potential difference. The staircase
programming pulses have an initial voltage lower than the second
pre-programming pulse and increase the voltage at a rate of a second
potential difference per pulse. The second potential difference is smaller
than the first potential difference.
Eine Halbleiterschaltungvorrichtung schließt zuerst und an zweiter Stelle permanente Halbleiterspeicherzellen und einen schreibensteuerstromkreis ein. Der schreibensteuerstromkreis liefert einen ersten vorprogrammierenden Impuls, einen zweiten vorprogrammierenden Impuls und programmierenimpulse des Treppenhauses gleichzeitig an die ersten und zweiten Speicherzellen unabhängig der schreibenstatus davon. Der zweite vorprogrammierende Impuls ist höher als der erste vorprogrammierende Impuls durch einen ersten möglichen Unterschied. Die programmierenimpulse des Treppenhauses haben eine Ausgangsspannung niedriger als der zweite vorprogrammierende Impuls und erhöhen die Spannung mit einer Rate eines zweiten möglichen Unterschiedes pro Impuls. Der zweite mögliche Unterschied ist kleiner als der erste mögliche Unterschied.
