The safe operating area (SOA) in a heterojunction bipolar transistor is
improved by inserting a material between the collector and subcollector of
the transistor with the insertion layer being a material having a wider
energy bandgap than the material of the collector. The insertion layer
increases the breakdown field at the collector-subcollector junction and
thereby increases the Kirk effect induced breakdown voltage.
Het veilige werkende gebied (SOA) wordt in een heterojunction bipolaire transistor door een materiaal tussen de collector en subcollector van de transistor met de toevoegingslaag verbeterd op te nemen die een materiaal dat een bredere energie heeft bandgap dan het materiaal van de collector is. De toevoegingslaag verhoogt het analysegebied bij de collector-subcollectorverbinding en verhoogt daardoor het Kirk effect veroorzaakte analysevoltage.
