A semiconductor laser includes an active layer stripe including a first
semiconductor layer, an active layer, and a second semiconductor layer
that are laminated in that order on a substrate and formed into a
stripe-shape; a burying layer in which the active layer stripe is buried;
and a contact layer formed on the burying layer. The semiconductor laser
further includes a monitor stripe that is formed in parallel to the active
layer stripe and is composed of the first semiconductor layer only at an
output end of the laser, the monitor stripe is buried in the burying layer
on which the contact layer is formed, and the active layer stripe and the
monitor stripe are isolated electrically by an isolation groove. The width
of the active layer stripe can be controlled easily based on the width of
the active layer in the monitor stripe as a criterion.
Ένα λέιζερ ημιαγωγών περιλαμβάνει ένα ενεργό λωρίδα στρώματος συμπεριλαμβανομένου ενός πρώτου στρώματος ημιαγωγών, ενός ενεργού στρώματος, και ενός δεύτερου στρώματος ημιαγωγών που είναι τοποθετημένα σε στρώματα σε εκείνη την διαταγή σχετικά με ένα υπόστρωμα και διαμορφωμένα σε μια λωρίδα-μορφή ένα στρώμα θαψίματος στο οποίο το ενεργό λωρίδα στρώματος θάβεται και ένα στρώμα επαφών που διαμορφώνεται στο στρώμα θαψίματος. Το λέιζερ ημιαγωγών περιλαμβάνει περαιτέρω ένα λωρίδα οργάνων ελέγχου που διαμορφώνεται παράλληλα παράλληλος στο ενεργό λωρίδα στρώματος και αποτελείται από το πρώτο στρώμα ημιαγωγών μόνο σε ένα τέλος παραγωγής του λέιζερ, το λωρίδα οργάνων ελέγχου θάβεται στο στρώμα θαψίματος στο οποίο το στρώμα επαφών διαμορφώνεται, και το ενεργό λωρίδα στρώματος και το λωρίδα οργάνων ελέγχου απομονώνονται ηλεκτρικά από ένα αυλάκι απομόνωσης. Το πλάτος του ενεργού λωρίδας στρώματος μπορεί να ελεγχθεί εύκολα βασισμένος στο πλάτος του ενεργού στρώματος στο λωρίδα οργάνων ελέγχου ως κριτήριο.
