A 1:1 laser projection system and method are provided for laser irradiating
a semiconductor film. The method comprises: exposing a mask to a beam of
laser light; projecting laser light passed through the mask by a factor of
one; exposing the area of a semiconductor film to the projected laser
light having a first energy density; exposing an area of semiconductor
film to a lamp light having a second energy density; and, summing the
first and second energy densities to heat the area of film. When the
semiconductor film is silicon, the film heating typically entails melting,
and then, crystallizing the film. In some aspects of the method, the lamp
is an excimer lamp having a wavelength of less than 550 nanometers (nm),
and the laser is an excimer laser having a wavelength of less than 550 nm.
In some aspects, the lamp is mounted to expose the bottom surface of the
film including an area underlying the area being laser irradiated.
Alternately, the lamp is mounted above the substrate with the laser optics
system, to directly expose the top surface of the substrate to light.
Un sistema e un metodo della proiezione del laser di 1:1 sono forniti per il laser che irradia una pellicola a semiconduttore. Il metodo contiene: esponendo una mascherina ad un fascio della luce di laser; il progetto della luce di laser ha attraversato la mascherina da un fattore di uno; esponendo la zona di una pellicola a semiconduttore alla luce di laser progetto che ha una prima densità di energia; esponendo una zona della pellicola a semiconduttore ad una lampada illumini avere una seconda densità di energia; e, sommando le prime e seconde densità di energia per riscaldare la zona della pellicola. Quando la pellicola a semiconduttore è silicone, il heating della pellicola richiede tipicamente la fusione ed allora, cristallizzante la pellicola. In alcune funzioni del metodo, la lampada è una lampada del excimer che ha una lunghezza d'onda di più meno di 550 nanometri (nm) ed il laser è un laser del excimer che ha una lunghezza d'onda più meno di di 550 nm. In alcune funzioni, la lampada è montata per esporre di fondo della pellicola compreso una zona di fondo la zona che è laser irradiato. Alternatamente, la lampada è montata sopra il substrato con il sistema di ottica del laser, direttamente per esporre la superficie superiore del substrato a luce.
