A simiconductor device includes a simiconductor substrate, an insulating
layer, a silicon layer, full depletion type transistors, and partial
deletion type transistors. The insulating layer is formed on the
simiconductor substrate. The silicon layer has a first region and a second
region. The silicon layer is formed on the insulating layer. The full
depletion type transistors are used for a logical circuit and are formed
on the silicon layer at the first region. The partial depletion type
transistors are used for a memory cell circuit and are formed on the
silicon layer at the second region. The second region of the silicon layer
is maintained at a fixed potential.
Un dispositivo del simiconductor incluye un substrato del simiconductor, una capa de aislamiento, una capa del silicio, el tipo de agotamiento completo transistores, y el tipo parcial transistores de la canceladura. La capa de aislamiento se forma en el substrato del simiconductor. La capa del silicio tiene una primera región y una segunda región. La capa del silicio se forma en la capa de aislamiento. El tipo de agotamiento completo transistores se utiliza para un circuito lógico y se forma en la capa del silicio en la primera región. El tipo de agotamiento parcial transistores se utiliza para un circuito de la célula de memoria y se forma en la capa del silicio en la segunda región. La segunda región de la capa del silicio se mantiene en un potencial fijo.
