A lower buried oxide film, a stress-relief film, an upper buried oxide
film, and an SOI film are formed over a semiconductor substrate in this
order. The thermal expansion coefficient of the stress-relief film is
greater than the thermal expansion coefficient of the upper buried oxide
film. The stress-relief film desirably has a thermal expansion coefficient
equal to or greater than the thermal expansion coefficient of the SOI
film. For example, it is formed of a silicon film, or of a composite film
laminating a silicon film, a germanium film disposed thereon, and a
silicon film disposed thereon. Accordingly, a semiconductor device having
an SOI MOSFET is to be provided, which has excellent characteristics such
as low parasitic capacitance and a small S value and is hardly affected by
the stress generated by the difference between thermal expansion
coefficients of the buried oxide film and the SOI film.
Een lagere begraven oxydefilm, een spanning-hulp film, een hogere begraven oxydefilm, en een film SOI worden gevormd over een halfgeleidersubstraat in deze orde. De thermische uitbreidingscoëfficiënt van de spanning-hulp film is groter dan de thermische uitbreidingscoëfficiënt van de hogere begraven oxydefilm. Heeft de spanning-hulp film wenselijk een thermische uitbreidingscoëfficiënt gelijk aan of groter dan de thermische uitbreidingscoëfficiënt van de film SOI. Bijvoorbeeld, wordt het gevormd van een siliciumfilm, of van een samengestelde film een siliciumfilm lamineren, een daarop geschikte germaniumfilm, en een daarop geschikte siliciumfilm die. Dienovereenkomstig, moet een halfgeleiderapparaat dat MOSFET SOI heeft worden verstrekt, wat heeft uitstekende kenmerken zoals lage parasitische capacitieve weerstand en een kleine waarde van S en nauwelijks door de spanning beïnvloed die door het verschil tussen thermische uitbreidingscoëfficiënten van de begraven oxydefilm en de film SOI wordt geproduceerd.
