A Group III-V compound semiconductor epitaxial layer has a tilt angle of at
most 100 seconds and/or a tilt angle of at most 100 seconds. The layer is
epitaxially grown by use of a mask, wherein the mask satisfies the
equation (1):
h.gtoreq.(w/2)tan .theta. (1)
where ".theta." is a base angle of a facet structure of the Group III-V
compound semiconductor layer on the epitaxial growth; "h" is a thickness
of the mask; and "w" is an opening width of the mask at its lower level,
and the opening width is defined in a direction included in a plane which
is vertical to both the surface of the base layer and the side face of the
facet structure.
Una capa epitaxial del semiconductor compuesto del grupo III-V tiene un ángulo de la inclinación en de la mayoría de los 100 segundos y/o un ángulo de la inclinación en de la mayoría de los 100 segundos. La capa epitaxially se crece por medio de una máscara, en donde la máscara satisface la ecuación (1): theta de h.gtoreq.(w/2)tan. (1) donde "theta." es un ángulo bajo de una estructura de la faceta de la capa del semiconductor compuesto del grupo III-V en el crecimiento epitaxial; "h" es un grueso de la máscara; y "W" es una anchura de la abertura de la máscara en su nivel inferior, y la anchura de la abertura se define en una dirección incluida en un plano que sea vertical a la superficie de la capa baja y a la cara lateral de la estructura de la faceta.
