The semiconductor device of the present invention includes: a gallium
nitride (GaN) compound semiconductor layer; and a Schottky electrode
formed on the GaN compound semiconductor layer, wherein the Schottky
electrode contains silicon.
Прибора на полупроводниках присытствыющего вымысла вклюает: слой составного полупроводника нитрида галлия (GaN); и электрод schottky сформировал на слое составного полупроводника GaN, при котором электрод schottky содержит кремний.
