A MOS or CMOS based photoconductor on active pixel image sensor. Thin
layers of semi-conductor material, doped to PIN or NIP photoconducting
layers, located above MOS and/or CMOS pixel circuits produce an array of
layered photodiodes. Positive and negative charges produced in the layered
photodiodes are collected and stored as electrical charges in the MOS
and/or CMOS pixel circuits. The present invention also provides additional
MOS or CMOS circuits for reading out the charges and for converting the
charges into images. With the layered photodiode of each pixel fabricated
as continuous layers of charge generating material on top of the MOS
and/or CMOS pixel circuits, extremely small pixels are possible with
almost 100 percent packing factors. MOS and CMOS fabrication techniques
permit sensor fabrication at very low costs. In preferred embodiments all
of the sensor circuits are incorporated on or in a single crystalline
substrate along with the sensor pixel circuits. Techniques are disclosed
for tailoring the spectral response of the sensor for particular
applications.
Un MOS o un CMOS ha basato il fotoconduttore sul sensore attivo di immagine del pixel. Gli strati sottili del materiale a semiconduttore, verniciati al PERNO o al PUNTO DI CONTATTO che photoconducting gli strati, situati sopra circuiti del pixel di CMOS e/o del MOS producono un allineamento dei fotodiodi fatti uno strato di. Le cariche positive e negative prodotte nei fotodiodi fatti uno strato di sono raccolte ed immagazzinate come spese elettriche circuiti nel pixel di CMOS e/o del MOS. La presente invenzione inoltre fornisce i circuiti supplementari di CMOS o del MOS per dare lettura delle spese e per convertire le spese in immagini. Con il fotodiodo fatto uno strato di di ogni pixel fabbricato come strati continui della carica che generano il materiale in cima i circuiti al pixel di CMOS e/o del MOS, pixel estremamente piccoli sono possibili con i fattori di imballaggio di quasi 100 per cento. Le tecniche di montaggio di CMOS e del MOS consentono il montaggio del sensore ai bassi costi molto. Nei metodo di realizzazione preferito tutti i circuiti del sensore sono compresi su o in un singolo substrato cristallino con i circuiti del pixel del sensore. Le tecniche sono rilevate per l'adattamento della reazione spettrale del sensore per le applicazioni particolari.
