A boron-phosphide-based semiconductor light-emitting device having a
semiconductor substrate of a first conduction type having, on its bottom
surface, a bottom electrode; a first boron-phosphide-based semiconductor
layer of a first conductive type provided on the substrate; a Group III-V
compound semiconductor active layer provided on the first
boron-phosphide-based semiconductor layer; a second boron-phosphide-based
semiconductor layer of second conduction type provided on the active
layer; and a top electrode provided on the surface of the second
boron-phosphide-based semiconductor layer. The top electrode includes a
lower electrode and an upper electrode, the lower electrode is in direct
contact with the second boron-phosphide-based semiconductor layer and
formed of a metal incapable of establishing ohmic contact with the second
boron-phosphide-based semiconductor layer, and the upper electrode is
provided on the lower electrode and formed of a metal capable of
establishing ohmic contact with the second boron-phosphide-based
semiconductor layer.
Un dispositif luminescent bore-phosphure-basé de semi-conducteur ayant un substrat de semi-conducteur d'un premier type de conduction ayant, sur son fond, une électrode de sole ; un premier bore-phosphure-a basé la couche de semi-conducteur d'un premier type conducteur fourni sur le substrat ; une couche active de semi-conducteur composé du groupe III-V a fourni sur la première couche bore-phosphure-basée de semi-conducteur ; un deuxième bore-phosphure-a basé la couche de semi-conducteur du deuxième type de conduction fourni sur la couche active ; et une électrode supérieure a fourni sur la surface de la deuxième couche bore-phosphure-basée de semi-conducteur. L'électrode supérieure inclut une électrode inférieure et une électrode supérieure, l'électrode inférieure est en contact direct avec la deuxième couche bore-phosphure-basée de semi-conducteur et formé d'un métal incapable d'établir le contact ohmique avec la deuxième couche bore-phosphure-basée de semi-conducteur, et l'électrode supérieure est fournie sur l'électrode inférieure et constituée d'un métal capable d'établir le contact ohmique avec la deuxième couche bore-phosphure-basée de semi-conducteur.
