Addressable and electrically reversible memory switch

   
   

A novel switching device is provided with an active region arranged between first and second electrodes and including a molecular system and ionic complexes distributed in the system. A control electrode is provided for controlling an electric field applied to the active region, which switches between a high-impedance state and a low-impedance state when the electrical field having a predetermined polarity and intensity is applied for a predetermined time.

Un dispositif de commutation de roman est équipé de région active disposée entre d'abord et des deuxièmes électrodes et d'inclure un système moléculaire et des complexes ioniques distribués dans le système. Une électrode de commande est donnée pour commander un champ électrique appliqué à la région active, qui commute entre un état à grande impédance et un état d'bas-impédance quand le champ électrique ayant une polarité et une intensité prédéterminées est appliqué pendant un temps prédéterminé.

 
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