Light emitting element

   
   

Irregularities are formed on at least a side surface of a light emitting layer of a light emitting element. In one form of the invention, an n-type layer which is a Group-III nitride compound semiconductor or the like, a light emitting layer, and a p-type layer are successively formed on a sapphire substrate through MOVPE or the like. Then, dry etching is carried out to expose the n-type layer to form a pedestal electrode. In this etching process, an etching pattern is employed to form a wave shape on the periphery of the p-type layer.

De onregelmatigheden worden gevormd op minstens een zijoppervlakte van een lichte het uitzenden laag van een licht uitzendend element. In één vorm van de uitvinding, worden een n-type laag die een groep-Iii halfgeleider of dergelijke zijn van de nitridesamenstelling, een lichte het uitzenden laag, en een p-type laag opeenvolgend gevormd op een saffiersubstraat door MOVPE of dergelijke. Dan, droge ets wordt uitgevoerd om de n-type laag bloot te stellen om een voetstukelektrode te vormen. In dit etsproces, is een etspatroon aangewend om een golfvorm op de periferie van de p-type laag te vormen.

 
Web www.patentalert.com

< Light-emitting gallium nitride-based compound semiconductor device

< Optical waveguide device, layered substrate and electronics using the same

> Quantum dot white and colored light-emitting devices

> Light-emitting element

~ 00140