Irregularities are formed on at least a side surface of a light emitting
layer of a light emitting element. In one form of the invention, an n-type
layer which is a Group-III nitride compound semiconductor or the like, a
light emitting layer, and a p-type layer are successively formed on a
sapphire substrate through MOVPE or the like. Then, dry etching is carried
out to expose the n-type layer to form a pedestal electrode. In this
etching process, an etching pattern is employed to form a wave shape on
the periphery of the p-type layer.
De onregelmatigheden worden gevormd op minstens een zijoppervlakte van een lichte het uitzenden laag van een licht uitzendend element. In één vorm van de uitvinding, worden een n-type laag die een groep-Iii halfgeleider of dergelijke zijn van de nitridesamenstelling, een lichte het uitzenden laag, en een p-type laag opeenvolgend gevormd op een saffiersubstraat door MOVPE of dergelijke. Dan, droge ets wordt uitgevoerd om de n-type laag bloot te stellen om een voetstukelektrode te vormen. In dit etsproces, is een etspatroon aangewend om een golfvorm op de periferie van de p-type laag te vormen.
