A high-performance thin-film semiconductor device and a simple fabrication
method is provided. After a silicon film is deposited at approximately
530.degree. C. or less and at a deposition rate of at least approximately
6 .ANG./minute, thermal oxidation is performed. This ensures an easy-and
simple fabrication of a high-performance thin-film semiconductor device. A
thin-film semiconductor device capable of low-voltage and high-speed drive
is provided. The short-channel type of a TFT circuit with an LDD structure
reduces a threshold voltage, increases speed, restrains the power
consumption and increases a breakdown voltage. The operational speed of
the thin-film semiconductor device is further increased by optimizing the
maximum impurity concentration of an LDD portion, a source portion a drain
portion, as well as optimizing the LDD length and the channel length. A
display system is provided using these TFTs having drive signals at or
below approximately the TTL level.
Μια υψηλής απόδοσης λεπτή συσκευή ημιαγωγών και μια απλή μέθοδος επεξεργασίας παρέχονται. Αφότου κατατίθεται μια ταινία πυριτίου σε περίπου 530.degree. Γ. ή λιγότερο και σε ένα ποσοστό απόθεσης τουλάχιστον περίπου 6 ΑΝΓ./λεπτού, η θερμική οξείδωση εκτελείται. Αυτό εξασφαλίζει εύκολος-και την απλή επεξεργασία μιας υψηλής απόδοσης λεπτής συσκευής ημιαγωγών. Μια λεπτή συσκευή ημιαγωγών ικανός της χαμηλής τάσης και μεγάλης κίνησης παρέχεται. Ο τύπος κοντός-καναλιών ενός κυκλώματος TFT με μια δομή LDD μειώνει μια τάση κατώτατων ορίων, αυξάνει την ταχύτητα, σταματά την κατανάλωση ισχύος και αυξάνει μια τάση διακοπής. Η λειτουργική ταχύτητα της λεπτής συσκευής ημιαγωγών αυξάνεται περαιτέρω με τη βελτιστοποίηση της μέγιστης συγκέντρωσης ακαθαρσιών μιας LDD μερίδας, μια μερίδα πηγής μια μερίδα αγωγών, καθώς επίσης και τη βελτιστοποίηση του μήκους LDD και του μήκους καναλιών. Ένα σύστημα επίδειξης παρέχεται χρησιμοποιώντας αυτά τα TFTs έχοντας τα σήματα κίνησης σε ή κάτω από περίπου το επίπεδο TTL.
