A semiconductor laser device according to the present invention comprises a
laminated structure of a semiconductor material including an active layer
formed of a quantum well structure, a low-reflection film formed on one
end face of the structure, and a high-reflection film formed on the other
end face of the structure. The cavity length (L) of the device is 1,200
.mu.m or more. This laser device, which enjoys high kink currents and a
satisfactorily linear current-optical output characteristic, is a useful
pumping light source for optical fiber amplifier.
Een apparaat van de halfgeleiderlaser volgens de onderhavige uitvinding bestaat uit een gelamineerde structuur van een halfgeleidermateriaal met inbegrip van een actieve laag die van een quantum wordt gevormd goed structureert, een laag-bezinningsfilm die op één eindgezicht wordt gevormd van de structuur, en een hoog-bezinningsfilm die op het andere eindgezicht wordt gevormd van de structuur. De holtelengte (L) van het apparaat is 1.200 mu.m of meer. Dit laserapparaat, dat van hoge knikstromen en een naar genoegen lineair huidig-optisch outputkenmerk geniet, is een nuttige het pompen lichtbron voor optische vezelversterker.
