A high-power semiconductor laser with a gain waveguide layer tailored to
provide transverse and lateral mode stability is disclosed. The gain
waveguide layer has a width that varies in proportion to the power
distribution within the layer. Narrow sections of the gain waveguide layer
provide transversal stability by filtering out higher order modes, while
the wide sections reduce the average four-wave mixing and the resultant
longitudinal modal instabilities.
Un laser ad alta potenza a semiconduttore con uno strato della guida di onde di guadagno ha adattato per fornire trasversale e la stabilità laterale di modo è rilevata. Lo strato della guida di onde di guadagno ha una larghezza che varia in proporzione alla distribuzione di energia all'interno dello strato. Le sezioni strette dello strato della guida di onde di guadagno forniscono la stabilità trasversale filtrando verso l'esterno i modi di più alto ordine, mentre le sezioni larghe riducono il medio quattro-fluttuano la miscelazione e le instabilità modali longitudinali risultanti.
