A semiconductor device having a plurality of semiconductor laser elements
is provided, which is capable of reducing an interval of emission points
between the semiconductor laser elements and also capable of preventing
heat generated by a semiconductor laser element from affecting other
semiconductor elements. A concave portion is formed on a silicon
substrate, and a protrusion of a quadrangular truncated pyramidal shape
consisting of slanted faces of a (1 1 1) plane, a (1 1 1) plane, a (1 1 1)
plane and a (1 1 1) plane is formed near the center of the concave portion
by using the silicon process. Among these slanted faces, a (1 1 1) outer
face and a (1 1 1) inner face are determined to be reflecting mirror
surfaces. The semiconductor laser elements respectively are fixed on small
protrusions formed on the concave portion, and a photodetector for
receiving light beams L1' and L2' returning from an optical disc is
disposed on a top face of the protrusion.
Um dispositivo de semicondutor que tem um plurality de elementos do laser do semicondutor é fornecido, que seja capaz de reduzir um intervalo de pontos da emissão entre os elementos do laser do semicondutor e também capaz de impedir que o calor gerado por um elemento do laser do semicondutor afete outros elementos do semicondutor. Uma parcela côncava é dada forma em uma carcaça do silicone, e em uma saliência de uma forma pyramidal truncada quadrangular que consiste nas caras inclinadas de a (1 1 1) plano, a (1 1 1) plano, a (1 1 1) plano e a (1 1 1) plano é dado forma perto do centro da parcela côncava usando o processo do silicone. Entre estas caras inclinadas, a (1 1 1) cara e a exteriores (1 1 1) cara interna é determinada ser superfícies do espelho refletindo. Os elementos do laser do semicondutor respectivamente são fixos nas saliências pequenas dadas forma na parcela côncava, e um photodetector para receber os feixes luminosos L1 ' e L2 ' que retorna de um disco ótico é disposto em uma cara superior da saliência.
