A semiconductor laser device has a quantum well active layer including a
well layer and a barrier layer laminated on a semiconductor substrate. The
quantum well active layer contains II group atoms such as Zn atoms. The
quantum well active layer is so formed that a bandgap of the quantum well
active layer in the vicinity of an end surface of a laser resonator is
larger than a bandgap of the quantum well active layer inside the laser
resonator. The II group atoms contained in the quantum well active layer
inside the laser resonator make up for vacancies introduced therein so as
to inhibit fluctuation of the bandgap of the quantum well active layer
inside the laser resonator and thereby to enhance long-term reliability of
the semiconductor laser device.
Un dispositivo del laser del semiconductor tiene una capa activa del pozo del quántum incluyendo una capa bien y una capa de barrera laminadas en un substrato del semiconductor. La capa activa del pozo del quántum contiene los átomos del grupo II tales como átomos del zn. La capa activa del pozo del quántum es así que formado que un bandgap de la capa activa del pozo del quántum en la vecindad de una superficie del extremo de un resonador del laser es más grande que un bandgap de la capa activa del pozo del quántum dentro del resonador del laser. Los átomos del grupo II contenidos en la capa activa del pozo del quántum dentro del resonador del laser compensan las vacantes introducidas en esto para inhibir la fluctuación del bandgap de la capa activa del pozo del quántum dentro del resonador del laser y de tal modo realzar la confiabilidad a largo plazo del dispositivo del laser del semiconductor.
