A surface emitting semiconductor laser capable of operating at high power
levels and with high efficiency is formed to emit in a single far-field
lobe in a single mode. The laser includes a semiconductor substrate and
epitaxial structure including an active region layer and cladding layers.
A distributed feedback grating is formed of periodically alternating
grating elements to provide optical feedback as a second order grating for
the effective wavelength of light generation from the active region.
Surface emission in a single lobe pattern may be obtained by forming one
edge face of the structure to be reflective and the other face to be
antireflective. The semiconductor laser may also be formed to have a
symmetric near-field pattern and single lobe surface emission utilizing a
phase shift in the 2.sup.nd -order distributed feedback grating at its
center and with antireflective edge faces. Passive distributed Bragg
reflection gratings may be formed adjacent the distributed feedback
grating to provide guided-field uniformity while maintaining high
efficiency. Such laser structures provide single lobe far-field surface
emission without requiring the use of lossy elements in the distributed
feedback grating, thus allowing high efficiency and high power to be
achieved.
Un laser d'émission extérieur de semi-conducteur capable du fonctionnement aux niveaux de puissance élevée et avec le rendement élevé est formé pour émettre dans un lobe simple de loin-champ en mode unitaire. Le laser inclut un substrat de semi-conducteur et une structure épitaxiale comprenant une couche active de région et des couches de revêtement. Un râpage distribué de rétroaction est constitué d'alterner périodiquement les éléments discordants pour fournir la rétroaction optique comme râpage du second degré pour la longueur d'onde efficace de la génération légère de la région active. L'émission extérieure dans un modèle simple de lobe peut être obtenue en formant un visage de bord de la structure pour être r3fléchissante et de l'autre visage à être antireflective. Le laser de semi-conducteur peut également être formé pour avoir un modèle symétrique de proche-champ et une émission simple de surface de lobe utilisant déphasage dans le 2.sup.nd - commandez le râpage distribué de rétroaction à son centre et avec les visages antireflective de bord. Les râpages distribués passifs de réflexion de Bragg peuvent être adjacents formé le râpage distribué de rétroaction pour fournir l'uniformité de guider-champ tout en maintenant le rendement élevé. De telles structures de laser fournissent l'émission simple de surface de loin-champ de lobe sans exiger l'utilisation des éléments de lossy dans le râpage distribué de rétroaction, de ce fait permettant le rendement élevé et la puissance élevée d'être réalisé.
