A spatial light modulator comprising a memory cell array for use in display
systems and a method of operating the memory cell array have been
disclosed herein. The memory cell array comprises one or more rows of
memory cells. Each row of memory cells is provided with a plurality of
wordlines so that the memory cells in a row can be activated separately
and independently. Memory cells connected to different wordlines in the
same row, and the memory cells connected to different wordlines in
different rows can be activated synchronized or asynchonized as desired.
With is configuration, perceived artifacts, such as perceived
dynamic-false-contouring artifacts, can be suppressed, if not eliminated.
A row of reference memory cells can be formed within the memory cell
array. The reference memory cells can maintain a predefined reference
voltage state that is different from the voltage states maintained by the
other memory cells of the memory cell array. The row of the reference
memory cells is provided with a plurality of wordlines for activating the
reference memory cells. With the reference memory cells, the voltage state
of a memory cell of the memory cell array can be read.
Un modulatore chiaro spaziale che contengono un allineamento delle cellule di memoria per uso nei sistemi di visualizzazione e un metodo di funzionamento dell'allineamento delle cellule di memoria sono stati rilevati qui. L'allineamento delle cellule di memoria contiene una o più file le cellule di memoria. Ogni fila delle cellule di memoria è fornita di una pluralità di wordlines in moda da potere attivare esclusivamente ed indipendentemente le cellule di memoria in una fila. Le cellule di memoria collegate ai wordlines differenti nella stessa fila e le cellule di memoria collegate ai wordlines differenti nelle file differenti possono essere attivate hanno sincronizzato o asynchonized come volute. Con è la configurazione, manufatti percepiti, quali i manufatti disagoma percepiti, può essere soppressa, se non essere eliminata. Una fila delle cellule di memoria di riferimento può essere formata all'interno dell'allineamento delle cellule di memoria. Le cellule di memoria di riferimento possono effettuare una tensione predefinita di riferimento dichiarano che è differente dalla tensione dichiara effettuato dalle altre cellule di memoria dell'allineamento delle cellule di memoria. La fila delle cellule di memoria di riferimento è fornita di una pluralità di wordlines per l'attivazione delle cellule di memoria di riferimento. Con le cellule di memoria di riferimento, la tensione dichiara di una cellula di memoria dell'allineamento delle cellule di memoria può essere letta.
