Semiconductor device and method of manufacturing the same

   
   

There are contained first capacitors each having a first lower electrode, a first ferroelectric film, and a first upper electrode, which are formed sequentially in a first region of an insulating film, and a second capacitor having a second lower electrode, a second ferroelectric film, and a second upper electrode, which are formed sequentially in a second region of the insulating film, wherein the first ferroelectric film is formed of first ferroelectric material that consists of plural types of elements containing a first element, the second ferroelectric film is formed of second ferroelectric material that consists of plural types of elements containing the first element, and a concentration of the first element in the second ferroelectric film is lower than a concentration of the first element in the first ferroelectric film.

Ci sono primi condensatori contenuti ciascuno che ha un primo elettrodo più basso, una prima pellicola ferroelectric e un primo elettrodo superiore, che sono formati in sequenza in una prima regione di una pellicola isolante e un secondo condensatore che ha un secondo elettrodo più basso, una seconda pellicola ferroelectric e un secondo elettrodo superiore, che sono formati in sequenza in una seconda regione della pellicola isolante, in cui la prima pellicola ferroelectric è formata di primo materiale ferroelectric che consiste dei tipi plurali di elementi che contengono un primo elemento, la seconda pellicola ferroelectric sono formati di secondo materiale ferroelectric che consiste dei tipi plurali di elementi che contengono il primo elemento e di una concentrazione dei il primo elemento nella seconda pellicola ferroelectric è più basso di una concentrazione del primo elemento nella prima pellicola ferroelectric.

 
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