Gas treatment apparatus

   
   

A gas flow regulating surface portion 37a is the farthest from the front surface of a wafer W in the middle between a peripheral portion of the wafer W and a center portion of a sealing vessel. The gas flow regulating portion 37a protrudes to the front surface of the wafer W in the vicinity of a center portion that surrounds an exhausting opening 35a. In other words, a convex portion 37c is formed in a peripheral area of the gas flow regulating surface portion 37a that surrounds the exhausting opening 35a. Since treatment gas flows along the front surface of the gas flow regulating portion 37a, treatment gas equally contacts the wafer W in the radius direction of the wafer W. Thus, a film with equal thickness is formed.

Часть 37a подачи газа регулируя поверхностная самыми далекими от передней поверхности вафли ш в середине между периферийной частью вафли ш и разбивочной частью сосуда запечатывания. Часть 37a подачи газа регулируя выступает к передней поверхности вафли ш в близости разбивочной части окружает выматываясь отверстие 35Јa. In other words , выпуклая часть 37c сформирована в периферийной зоне части 37a подачи газа регулируя поверхностной окружает выматываясь отверстие 35Јa. В виду того что газ обработки пропускает вдоль передней поверхности части 37a подачи газа регулируя, газ обработки равн контактирует вафлю ш в направлении радиуса вафли ш. Таким образом, пленка с равной толщиной сформирована.

 
Web www.patentalert.com

< Methods of creating patterns on substrates and articles of manufacture resulting therefrom

< Self-assembly of organic-inorganic nanocomposite thin films for use in hybrid organic light emitting devices (HLED)

> Thermal insulation container with electric heater

> Semiconductor device and method of manufacturing the same

~ 00141