A semiconductor light emitting element and a semiconductor light emitting
device, which are high in optical output, uniform in emission of light and
high in production yield and productivity, comprise: an electrically
conductive transparent substrate having a first surface and a second
surface opposed to each other; a semiconductor epitaxial layer formed on a
location of the first surface of the substrate; a first electrode formed
on the semiconductor epitaxial layer; a second electrode formed on a
location of the second surface of the substrate offset from alignment with
the first electrode; and a groove formed to indent from the second surface
of the substrate toward the first surface in a location between the first
electrode and the second electrode.
Een halfgeleider licht uitzendend element en een halfgeleider licht uitzendend apparaat, dat in optische output hoog zijn, eenvormig in emissie van licht en hoog in productieopbrengst en productiviteit, bestaan uit: een elektrisch geleidend transparant substraat dat een eerste oppervlakte en een tweede oppervlakte tegengesteld aan elkaar heeft; een halfgeleider epitaxial laag die op een plaats van de eerste oppervlakte van het substraat wordt gevormd; een eerste elektrode die op de halfgeleider epitaxial laag wordt gevormd; een tweede elektrode die op een plaats van de tweede oppervlakte van het substraat wordt gevormd dat van groepering met de eerste elektrode wordt gecompenseerd; en een groef die wordt gevormd om van de tweede oppervlakte van het substraat naar de eerste oppervlakte in een plaats tussen de eerste elektrode en de tweede elektrode te kartelen.
