The present invention relates to a sapphire monocrystalline body to be used
as the substrate for a semiconductor for electronic parts or component
parts, and to a monocrystalline sapphire substrate. The invention also
relates to a method for working the same. The invention is based cleavage
along the plane R of the sapphire monocrystalline body which cleavage is
easy to accomplish and provides a surface high in precision. The inventive
process includes forming linear crack parallel or vertical to a reference
plane of the substrate, with a microcrack line as a starting point, to
develop a crack in a thickness direction of the body.
La présente invention concerne un corps monocristallin de saphir à employer comme substrat pour un semi-conducteur pour les composantes électroniques ou les éléments, et à un substrat monocristallin de saphir. L'invention se relie également à une méthode pour travailler la même chose. L'invention est fendage basé le long du plan R du corps monocristallin de saphir que le fendage est facile d'accomplir et fournit une haute de surface dans la précision. Le processus inventif inclut former le parallèle ou la verticale linéaire de fente à un plan de référence du substrat, avec une ligne de microfissure comme point de départ, pour développer une fente dans une direction d'épaisseur du corps.
