A smile oxide film, serving as a gate oxide film, is formed under a
three-layer poly-metal gate consisting of a doped polysilicon layer, a
tungsten layer, and a SiON layer. The smile oxide film has a first region
located beneath an edge of the poly-metal gate and a second region located
beneath a central portion of the poly-metal gate. A film thickness of the
first region is larger than a film thickness of the second region. An
anti-oxidizing film, having a small oxygen diffusion rate compared with
the polysilicon layer, entirely covers the poly-metal gate without
exposing.
Ein Lächelnoxidfilm, dienend als Gatteroxidfilm, wird unter einem Dreischicht Poly-Metallgatter gebildet, das aus einer lackierten polysilicon Schicht, einer Wolframschicht und einer SiON Schicht besteht. Der Lächelnoxidfilm hat eine erste Region, die unter einem Rand des Poly-Metallgatters gelegen sind und eine zweite Region, die unter einem zentralen Teil des Poly-Metallgatters gelegen ist. Eine Schichtstärke der ersten Region ist größer als eine Schichtstärke der zweiten Region. Ein Antioxidierungfilm, eine kleine Sauerstoffdiffusion (Zerstäubung) Rate habend, die mit der polysilicon Schicht verglichen wird, umfaßt völlig das Poly-Metallgatter, ohne herauszustellen.
