The semiconductor substrate of the integrated circuit includes at least one
dielectrically isolating, vertical buried trench (2) having a height at
least five times greater than its width, the trench laterally separating
two regions (4, 5), and an epitaxial semiconductor layer (6) coveting the
trench. An application is advantageously suited to MOS, CMOS and BiCMOS
technologies.
Le substrat de semi-conducteur du circuit intégré inclut au moins on isolant diélectriquement, le fossé enterré vertical (2) ayant une taille au moins cinq fois plus grandes que sa largeur, le fossé séparant latéralement deux régions (4, 5), et une couche épitaxiale de semi-conducteur (6) convoitant le fossé. Une application est avantageusement convenue au MOS, au CMOS et aux technologies de BiCMOS.
