Ferroelectric capacitor, process for manufacturing thereof and ferroelectric memory

   
   

A ferroelectric capacitor having a ferroelectric layer and a pair of electrodes, in which the ferroelectric layer contains carbon or carbon atoms of 5.times.10.sup.18 cm.sup.-3 or less, and the pair of electrodes is formed by a MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition) method. A process for manufacturing a ferroelectric capacitor having the steps of forming a ferroelectric layer on one of a pair of electrodes; heating the layer at a temperature higher than when forming the layer, and to form the other electrode on the ferroelectric layer, or the steps of forming a ferroelectric layer on one of a pair of electrodes; forming the other electrode on the ferroelectric layer; and heating the layer at a temperature higher than when forming the layer to form the other electrode on the ferroelectric layer, to control carbon atoms of the ferroelectric layer to be 5.times.10.sup.18 cm.sup.-3 or less.

Um capacitor ferroelectric que tem uma camada ferroelectric e um par dos elétrodos, em que a camada ferroelectric contem o carbono ou os átomos de carbono de 5.times.10.sup.18 cm.sup.-3 ou menos, e o par dos elétrodos é dado forma por um método do MOCVD (deposition de vapor químico orgânico do metal). Um processo para manufaturar um capacitor ferroelectric que tem as etapas de dar forma a uma camada ferroelectric em um de um par dos elétrodos; aquecendo a camada em uma temperatura mais altamente do que ao dar forma à camada, e para dar forma ao outro elétrodo na camada ferroelectric, ou nas etapas de dar forma a uma camada ferroelectric em um de um par dos elétrodos; dando forma ao outro elétrodo na camada ferroelectric; e heating a camada em uma temperatura mais altamente do que ao dar forma à camada para dar forma ao outro elétrodo na camada ferroelectric, para controlar átomos de carbono da camada ferroelectric para ser 5.times.10.sup.18 cm.sup.-3 ou menos.

 
Web www.patentalert.com

< Method for manufacturing NAND type nonvolatile ferroelectric memory cell

< Ferroelectric memory device comprising extended memory unit

> Single-chip data processing apparatus incorporating an electrically rewritable nonvolatile memory and method of operating the same

> Peripheral circuits of electrically programmable three-dimensional memory

~ 00141