A floating gate flash memory device including a substrate including a
source region, a drain region and a channel region positioned
therebetween; a stack gate including a floating gate electrode, at least
one of sidewall/spacers, second sidewalls or a barrier layer, in which the
floating gate is positioned above the channel region. The floating gate
may be separated from the channel region by one or more of a reverse
tunnel dielectric layer, the barrier layer and a pad dielectric layer. The
floating gate may be a metal floating gate.
Un dispositivo de memoria de destello flotante de la puerta incluyendo un substrato incluyendo una región de la fuente, una región del dren y una región del canal colocadas therebetween; una puerta del apilado incluyendo un electrodo de puerta flotante, por lo menos una de sidewall/spacers, segundos flancos o una capa de barrera, en los cuales la puerta flotante se coloca sobre la región del canal. La puerta flotante se puede separar de la región del canal por una o más de una capa dieléctrica del túnel reverso, de la capa de barrera y de una capa del dieléctrico del cojín. La puerta flotante puede ser una puerta flotante del metal.
