A vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) capable of producing
long-wavelength light has a substrate of GaSb or InAs, and an active
region with alternating quantum wells and barrier layers. The target
wavelength range is preferably between 1.2-1.4 um. The quantum well is
made of GaInSbP, GaInSbAs, AlInSbAs, or AlInSbP, and the barrier layers
are made of AlInSbP, AlGaSbP, AlInSbAs, AlGaSbAs, or AlSbPAs. The active
region is sandwiched between two mirror stacks that are preferably
epitaxially grown Distributed Bragg Reflectors. The active region has
large conduction and valence band offsets (.DELTA.E.sub.c and
.DELTA.E.sub.v) for effective carrier containment over the wide range of
ambient temperatures in which the VCSEL is expected to function. The
active region can be designed to have little or no lattice strain on the
substrate.
Un laser d'émission extérieur de cavité verticale (VCSEL) capable de produire la lumière de long-longueur d'onde a un substrat de GaSb ou d'InAs, et une région active avec les puits alternatifs de quantum et les couches-barrière. La gamme de longueurs d'onde de cible est de préférence entre l'UM 1.2-1.4. Le puits de quantum est fait en GaInSbP, GaInSbAs, AlInSbAs, ou AlInSbP, et les couches-barrière sont faites en AlInSbP, AlGaSbP, AlInSbAs, AlGaSbAs, ou AlSbPAs. La région active est serrée entre deux piles de miroir qui sont les réflecteurs distribués de préférence épitaxial développés de Bragg. La région active a la grande conduction et la bande de valence excentre (DELTA.E.sub.c Et DELTA.E.sub.v) pour la retenue efficace de porteur sur l'éventail des températures ambiantes dans lesquelles on s'attend à ce que le VCSEL fonctionne. La région active peut être conçue pour avoir peu ou pas de contrainte de trellis sur le substrat.
