A vertical cavity emitting laser (VCSEL) having a tunnel junction. The
junction may be isolated with an implant into a top mirror and past the
junction and p-layer. A trench around the VCSEL may result in reduced
capacitance and more D.C. isolation of the junction. The implant may occur
after the trench is made. Some implant may pass the trench to a bottom
mirror. Additional isolation and current confinement may be provided with
lateral oxidation of a layer below the junction. Internal trenches may be
made from the top of the VCSEL vertically to an oxidizable layer below the
junction. For further isolation, an open trench may be placed around a
bonding pad and its bridge to the VCSEL and internal vertical trenches may
be placed on the pad and its bridge down to the oxidizable layer.
Μια κάθετη κοιλότητα που εκπέμπει το λέιζερ (VCSEL) που έχει μια σύνδεση σηράγγων. Η σύνδεση μπορεί να απομονωθεί με ένα μόσχευμα σε έναν κορυφαίο καθρέφτη και μετά από τη σύνδεση και το φορέα. Μια τάφρος γύρω από το VCSEL μπορεί να οδηγήσει μεμονωμένα τη μειωμένη ικανότητα και περισσότερη ΣΥΝΕΧΟΎΣ ΡΕΎΜΑΤΟΣ της σύνδεσης. Το μόσχευμα μπορεί να εμφανιστεί αφότου γίνεται η τάφρος. Κάποιο μόσχευμα μπορεί να περάσει την τάφρο σε έναν κατώτατο καθρέφτη. Στην πρόσθετη απομόνωση και στον τρέχοντα περιορισμό μπορεί να παρασχεθεί η πλευρική οξείδωση ενός στρώματος κάτω από τη σύνδεση. Οι εσωτερικές τάφροι μπορούν να γίνουν από την κορυφή του VCSEL κάθετα σε ένα οξειδώσιμο στρώμα κάτω από τη σύνδεση. Για την περαιτέρω απομόνωση, μια ανοικτή τάφρος μπορεί να τοποθετηθεί γύρω από ένα συνδέοντας μαξιλάρι και τη γέφυρά της στο VCSEL και οι εσωτερικές κάθετες τάφροι μπορούν να τοποθετηθούν στο μαξιλάρι και τη γέφυρά της κάτω στο οξειδώσιμο στρώμα.
