Semiconductor laser device and method for fabricating the same

   
   

An etching control layer with a composition different from that of a compound semiconductor substrate is deposited over the surface of the substrate. Then, a first multilayer structure, made up of multiple semiconductor layers including a first active layer with a composition different from that of the etching control layer, is defined over the etching control layer. A first semiconductor laser structure is formed out of the first multilayer structure on a first region of the substrate by selectively etching and patterning the first multilayer structure. A second multilayer structure, made up of multiple semiconductor layers including a second active layer, is defined over the surface of the substrate as well as over the first semiconductor laser structure. A second semiconductor laser structure is formed out of the second multilayer structure on a second region of the substrate by selectively etching and patterning the second multilayer structure.

Uno strato di controllo acquaforte con una composizione differente da quella di un substrato a semiconduttore compound è depositato sopra la superficie del substrato. Allora, una prima struttura a più strati, composta del semiconduttore multiplo fa uno strato di compreso un primo strato attivo con una composizione differente da quella dello strato di controllo acquaforte, è definita sopra lo strato di controllo acquaforte. Una prima struttura del laser a semiconduttore è formata dalla prima struttura a più strati su una prima regione del substrato selettivamente incidendo e modellando la prima struttura all'acquaforte a più strati. Una seconda struttura a più strati, composta del semiconduttore multiplo fa uno strato di compreso un secondo strato attivo, è definita sopra la superficie del substrato così come l'eccedenza la prima struttura del laser a semiconduttore. Una seconda struttura del laser a semiconduttore è formata dalla seconda struttura a più strati su una seconda regione del substrato selettivamente incidendo e modellando la seconda struttura all'acquaforte a più strati.

 
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