A structure having a number of traces passing through a region is evaluated
by using a beam of electromagnetic radiation to illuminate the region, and
generating an electrical signal that indicates an attribute of a portion
(also called "reflected portion") of the beam reflected from the region.
The just-described acts of "illuminating" and "generating" are repeated in
another region, followed by a comparison of the generated signals to
identify variation of a property between the two regions. Such
measurements can identify variations in material properties (or
dimensions) between different regions in a single semiconductor wafer of
the type used in fabrication of integrated circuit dice, or even between
multiple such wafers. In one embodiment, the traces are each substantially
parallel to and adjacent to the other, and the beam has wavelength greater
than or equal to a pitch between at least two of the traces. In one
implementation the beam is polarized, and can be used in several ways,
including, e.g., orienting the beam so that the beam is polarized in a
direction parallel to, perpendicular to, or at 45.degree. to the traces.
Energy polarized parallel to the traces is reflected by the traces,
whereas energy polarized perpendicular to the traces passes between the
traces and is reflected from underneath the traces. Measurements of the
reflected light provide an indication of changes in properties of a wafer
during a fabrication process.
Μια δομή που έχει διάφορα ίχνη που περνούν μέσω μιας περιοχής αξιολογείται με τη χρησιμοποίηση μιας ακτίνας της ηλεκτρομαγνητικής ακτινοβολίας για να φωτίσει την περιοχή, και την παραγωγή ενός ηλεκτρικού σήματος που δείχνει μια ιδιότητα μιας μερίδας (επίσης αποκαλούμενης "απεικονισμένη μερίδα") της ακτίνας που απεικονίζεται από την περιοχή. Οι ακριβώς-περιγραμμένες πράξεις "της διαφώτισησ" και "της παραγωγήσ" επαναλαμβάνονται σε μια άλλη περιοχή, που ακολουθείται από μια σύγκριση των παραγμένων σημάτων για να προσδιορίσει την παραλλαγή μιας ιδιοκτησίας μεταξύ των δύο περιοχών. Τέτοιες μετρήσεις μπορούν να προσδιορίσουν τις παραλλαγές στις υλικές ιδιότητες (ή τις διαστάσεις) μεταξύ των διαφορετικών περιοχών σε μια ενιαία γκοφρέτα ημιαγωγών του τύπου που χρησιμοποιείται στην επεξεργασία του ολοκληρωμένου κυκλώματος χωρίζουν σε τετράγωνα, ή ακόμα και μεταξύ του πολλαπλασίου τέτοιες γκοφρέτες. Σε μια ενσωμάτωση, τα ίχνη είναι κάθε ουσιαστικά παράλληλος σε και δίπλα σε άλλη, και η ακτίνα έχει το μήκος κύματος μεγαλύτερο ή ίσο μια πίσσα μεταξύ τουλάχιστον δύο από τα ίχνη. Σε μια εφαρμογή η ακτίνα είναι πολωμένη, και μπορεί να χρησιμοποιηθεί με διάφορους τρόπους, συμπεριλαμβανομένου, π.χ., του προσανατολισμού της ακτίνας έτσι ώστε η ακτίνα είναι πολωμένη σε μια κατεύθυνση παράλληλη σε, κάθετη σε, ή σε 45.degree. στα ίχνη. Πολωμένος ο ενέργεια παράλληλος στα ίχνη απεικονίζεται από τα ίχνη, ενώ η ενέργεια πόλωσε την κάθετο στα περάσματα ιχνών μεταξύ των ιχνών και απεικονίζεται από κάτω από τα ίχνη. Οι μετρήσεις του απεικονισμένου φωτός παρέχουν μια ένδειξη των αλλαγών στις ιδιότητες μιας γκοφρέτας κατά τη διάρκεια μιας διαδικασίας επεξεργασίας.
