A method of forming a silicon-on-insulator (SOI) metal oxide semiconductor
field effect transistor (MOSFET) device is provided in which an implanted
back-gate is formed into a Si-containing layer of an SOI wafer. The
implanted back-gate thus formed is capable of controlling the threshold
voltage of a polysilicon-containing front-gate which is formed over a
portion of the implanted back-gate region. The implanted back-gate
functions as a dynamic threshold voltage control system in the SOI MOSFET
device because it is suitable for use during circuit/system active periods
and during circuit/system idle periods.
Eine Methode der Formung eines Silikon-auf-Isolierung (SOI) Metalloxidhalbleiters fangen Vorrichtung des Effekttransistors (MOSFET) wird zur Verfügung gestellt auf, in der ein eingepflanztes Zurückgatter in eine Silikon-enthaltene Schicht einer SOI Oblate gebildet wird. Das eingepflanzte Zurückgatter, das folglich gebildet wird, ist zum Steuern der Schwelle Spannung eines polysilicon-enthaltenen Vordergatters fähig, das über einem Teil der eingepflanzten Zurückgatter Region gebildet wird. Das eingepflanzte Zurückgatter arbeitet als dynamisches Schwelle Spannung Steuersystem in der SOI MOSFET Vorrichtung, weil es für Gebrauch während circuit/system der aktiven Perioden und während circuit/system der untätigen Perioden verwendbar ist-.
