A semiconductor component includes first and second connection zones formed
in a semiconductor body, a channel zone surrounding the second connection
zone in the semiconductor body, and a drift path that is formed between
the channel zone and the first connection zone and contains a compensation
zone. The compensation zone has a complementary conduction type with
respect to the drift zone and includes at least two segments. A distance
between the two adjacent segments is chosen such that the punch-through
voltage between these segments lies in a voltage range that corresponds to
the voltage range assumed by the voltage drop across the drift path at
currents situated between the rated current and twice the rated current.
Ένα τμήμα ημιαγωγών περιλαμβάνει πρώτα και δεύτερες ζώνες σύνδεσης που διαμορφώνονται σε ένα σώμα ημιαγωγών, μια ζώνη καναλιών που περιβάλλουν τη δεύτερη ζώνη σύνδεσης στο σώμα ημιαγωγών, και μια πορεία κλίσης που διαμορφώνεται μεταξύ της ζώνης καναλιών και της πρώτης ζώνης σύνδεσης και περιέχει μια ζώνη αποζημιώσεων. Η ζώνη αποζημιώσεων έχει έναν συμπληρωματικό τύπο διεξαγωγής όσον αφορά τη ζώνη κλίσης και περιλαμβάνει τουλάχιστον δύο τμήματα. Μια απόσταση μεταξύ των δύο παρακείμενων τμημάτων επιλέγεται έτσι ώστε η διάτρηση-κατευθείαν τάση μεταξύ αυτών των τμημάτων βρίσκεται σε μια σειρά τάσης που αντιστοιχεί στη σειρά τάσης που υποτίθεται από την πτώση τάσης πέρα από την πορεία κλίσης στα ρεύματα που τοποθετούνται μεταξύ του εκτιμημένου ρεύματος και δύο φορές του εκτιμημένου ρεύματος.
