The present invention provides a semiconductor device and a method of
manufacture therefor. The semiconductor device includes a channel region
located in a semiconductor substrate and a trench located adjacent a side
of the channel region. The semiconductor device further includes an
isolation structure located in the trench, and a source/drain region
located over the isolation structure.
La présente invention fournit un dispositif de semi-conducteur et une méthode de fabrication pour cette fin. Le dispositif de semi-conducteur inclut une région de canal située dans un substrat de semi-conducteur et un adjacent localisé par fossé un côté de la région de canal. Le dispositif de semi-conducteur autre inclut une structure d'isolement située dans le fossé, et une région de source/drain située au-dessus de la structure d'isolement.
