Semiconductor devices including a non-volatile memory transistor and
methods for manufacturing such semiconductor devices are described. One
semiconductor device may include a silicon substrate 10, a floating gate
22 disposed above the silicon substrate 10 through a first dielectric
layer 20, a second dielectric layer 26 that contacts at least a part of
the floating gate 22, a control gate 28 formed over the second dielectric
layer 26, and a source region 14 and a drain region 16 formed in the
silicon substrate 10. A wiring layer 40 is provided above the floating
gate 22, and the entirety of the floating gate 22 is overlapped by the
wiring layer 40 as viewed in a plan view.
I dispositivi a semiconduttore compreso un transistore di memoria non volatile ed i metodi per la produzione dei tali dispositivi a semiconduttore sono descritti. Un dispositivo a semiconduttore può includere un substrato 10, un cancello di galleggiante 22 del silicone disposto di sopra il substrato 10 del silicone con un primo strato dielettrico 20, un secondo strato dielettrico 26 che si mette in contatto con almeno una parte del cancello di galleggiante 22, un'eccedenza formata del cancello 28 di controllo il secondo strato dielettrico 26 e una regione 14 di fonte e una regione 16 dello scolo formata nel substrato 10 del silicone. Uno strato 40 dei collegamenti è fornito sopra il cancello di galleggiante 22 e l'interezza del cancello di galleggiante 22 è coincisa dallo strato 40 dei collegamenti come osservata in una vista di programma.
