A method of forming a dielectric layer that may be used as a dielectric
separating a gate electrode from a channel region of a field effect
transistor is provided which allows a high capacitive coupling while still
maintaining a low leakage current level. This is achieved by introducing a
dopant, for example nitrogen, that increases the resistance of the
dielectric layer by means of low energy plasma irradiation, wherein an
initial layer thickness is selected to substantially avoid penetration of
the dopant into the underlying material. Subsequently, dielectric material
is removed by an atomic layer etch to finally obtain the required design
thickness.
Eine Methode der Formung einer dielektrischen Schicht, die als Nichtleiter verwendet werden kann, der eine Gate-Elektrode von einer Führung Region eines auffangeneffekttransistors trennt, wird zur Verfügung gestellt, das eine hohe kapazitive Kopplung beim ein niedriges Durchsickernstromniveau noch beibehalten erlaubt. Dieses wird erzielt, indem man einen Dopant, z.B. Stickstoff einführt, der den Widerstand der dielektrischen Schicht mittels der niedrigen Energieplasmabestrahlung erhöht, worin eine Ausgangsschichtstärke vorgewählt wird, um Durchgriff des Dopants in das zugrundeliegende Material im wesentlichen zu vermeiden. Nachher wird dielektrisches Material durch eine Atomschichtätzung entfernt, um die erforderliche Designstärke schließlich zu erreichen.
