A method of controlling a negative differential resistance (NDR) element is
disclosed, which includes altering various NDR characteristics during
operation to effectuate different NDR modes. By changing biasing
conditions applied to the NDR element (such as a silicon based NDR FET) a
peak-to-valley ratio (PVR) (or some other characteristic) can be modified
dynamically to accommodate a desired operational change in a circuit that
uses the NDR element. In a memory or logic application, for example, a
valley current can be reduced during quiescent periods to reduce operating
power. Thus an adaptive NDR element can be utilized advantageously within
a conventional semiconductor circuit.
Μια μέθοδος ένα αρνητικό διαφορικό στοιχείο αντίστασης (NDR) αποκαλύπτεται, το οποίο περιλαμβάνει τα αλλάζοντας διάφορα χαρακτηριστικά NDR κατά τη διάρκεια της λειτουργίας για να πραγματοποιήσει τους διαφορετικούς τρόπους NDR. Με την αλλαγή των προκαταλαμβάνοντας όρων που εφαρμόζονται στο στοιχείο NDR (όπως ένα βασισμένο στο πυρίτιο FET NDR) μια αναλογία μέγιστος-$$$-ΚΟΙΛΑΔΩΝ (PVR) (ή κάποιο άλλο χαρακτηριστικό) μπορεί να τροποποιηθεί δυναμικά για να προσαρμόσει μια επιθυμητή λειτουργική αλλαγή σε ένα κύκλωμα που χρησιμοποιεί το στοιχείο NDR. Σε μια εφαρμογή μνήμης ή λογικής, παραδείγματος χάριν, ένα ρεύμα κοιλάδων μπορεί να μειωθεί κατά τη διάρκεια των ήρεμων περιόδων για να μειώσει τη λειτουργούσα δύναμη. Κατά συνέπεια ένα προσαρμοστικό στοιχείο NDR μπορεί να χρησιμοποιηθεί ευνοϊκά μέσα σε ένα συμβατικό κύκλωμα ημιαγωγών.
