This invention relates to a process for preparing a patterned layer of
aligned carbon nanotubes on a substrate including: applying a photoresist
layer to at least a portion of a surface of a substrate capable of
supporting nanotube growth, masking a region of said photoresist layer to
provide a masked portion and an unmasked portion, subjecting said unmasked
portion to electromagnetic radiation of a wavelength and intensity
sufficient to transform the unmasked portion while leaving the masked
portion substantially untransformed, said transformed portion exhibiting
solubility characteristics different to said untransformed portion,
developing said photoresist layer by contacting with a solvent for a time
and under conditions sufficient to dissolve one of said transformed and
untransformed portions of the photoresist, leaving the other portion
attached to said substrate, synthesising a layer of aligned carbon
nanotubes on regions of said substrate to which said remaining photoresist
portion is not attached to provide a patterned layer of aligned carbon
nanotubes on said substrate.
Questa invenzione riguarda un procedimento per la preparazione dello strato modellato dei nanotubes stati allineati del carbonio su un substrato compreso: applicando uno strato di photoresist almeno ad una parte di una superficie di un substrato capace di sostenere lo sviluppo del nanotube, mascherando una regione dello strato di photoresist detto per fornire una parte mascherata e una parte unmasked, la detta parte unmasked tematica a radiazione elettromagnetica di una lunghezza d'onda e l'intensità sufficiente per trasformare la parte unmasked mentre lasciare la parte mascherata untransformed sostanzialmente, la parte trasformata ad esempio che esibisce le caratteristiche di solubilità differenti a detto untransformed la parte, sviluppante lo strato di photoresist detto mettendosi in contatto con con un solvente per un certo tempo e nelle circostanze sufficienti per dissolvere uno della trasformata di detta ed untransformed le parti del photoresist, lascianti l'altra parte fissata al substrato detto, sintetizzante uno strato stato allineato di carbonio nanotubes sulle regioni del substrato detto a cui la parte restante detta del photoresist non è fissata per fornire uno strato modellato dei nanotubes stati allineati del carbonio sul substrato detto.