Method of characterizing a semiconductor surface

   
   

A method of characterizing a sample surface having a surface anomaly region includes the steps of profiling the sample surface to generate surface characteristic data, and generating a histogram based on the profiling step. Then, the method measures a surface anomaly in the surface anomaly region based on the generating step. The method further includes the step of selecting a zone of interest from the surface characterization data. The zone of interest preferably includes the surface anomaly region, wherein the surface anomaly region includes one of erosion and dishing. Preferably, the histogram includes a first peak corresponding to a generally planar portion of the sample surface, and a second peak corresponding to the surface anomaly. Moreover, the measuring step includes determining a distance between the first and second peaks, the distance being indicative of the depth of the surface anomaly.

Une méthode de caractériser une surface témoin ayant une région extérieure d'anomalie inclut les étapes de profiler la surface témoin pour produire des données caractéristiques extérieures, et de produire d'un histogramme basé sur l'étape de profilage. Puis, la méthode mesure une anomalie extérieure dans la région extérieure d'anomalie basée sur l'étape se produisante. La méthode autre inclut l'étape de choisir une zone d'intérêt à partir des données extérieures de caractérisation. La zone d'intérêt inclut de préférence la région extérieure d'anomalie, où la région extérieure d'anomalie inclut un d'érosion et de bomber. De préférence, l'histogramme inclut une première crête correspondant à une partie généralement planaire de la surface témoin, et une deuxième crête correspondant à l'anomalie extérieure. D'ailleurs, l'étape de mesure inclut déterminer une distance entre les premières et deuxièmes crêtes, la distance étant indicative de la profondeur de l'anomalie extérieure.

 
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