The present invention reduces the number of necessary steps in a
thin-film-transistor manufacturing process and prevents an abnormal
potential from being generated due to a leak current from another data
line.
More particularly, the present invention is directed to a thin film
transistor comprising a gate electrode 30 disposed on a predetermined
substrate and formed in a predetermined pattern, a semiconductor layer
formed correspondingly to patterning of the gate electrode 30, a pixel
electrode 25 interposed by the semiconductor layer, and a signal electrode
26 interposed by the semiconductor layer and disposed at a predetermined
interval from the pixel electrode 25, in which the signal electrode 26 is
disposed at such a position where the signal electrode prevents crosstalk
running from adjacent signal lines 32b and 32c to the pixel electrode 25
via the semiconductor layer.
Η παρούσα εφεύρεση μειώνει τον αριθμό απαραίτητων βημάτων σε μια διαδικασία κατασκευής λεπτός-ταινία-κρυσταλλολυχνιών και αποτρέπει μια ανώμαλη δυνατότητα από την παραγωγή λόγω σε ένα ρεύμα διαρροών από μια άλλη γραμμή στοιχείων. Ειδικότερα, η παρούσα εφεύρεση κατευθύνεται σε μια κρυσταλλολυχνία λεπτών ταινιών περιλαμβάνοντας ένα ηλεκτρόδιο 30 πυλών που διατίθεται σε ένα προκαθορισμένο υπόστρωμα και που διαμορφώνεται σε ένα προκαθορισμένο σχέδιο, ένα στρώμα ημιαγωγών που διαμορφώνεται αντίστοιχα στη διαμόρφωση του ηλεκτροδίου 30 πυλών, ενός ηλεκτροδίου 25 εικονοκυττάρου που παρεμβάλλονται από το στρώμα ημιαγωγών, και ενός ηλεκτροδίου 26 σημάτων που παρεμβάλλεται από το στρώμα ημιαγωγών και που διατίθεται σε ένα προκαθορισμένο διάστημα από το ηλεκτρόδιο 25 εικονοκυττάρου, στο οποίο το ηλεκτρόδιο 26 σημάτων διατίθεται σε μια τέτοια θέση όπου το ηλεκτρόδιο σημάτων αποτρέπει τη λογομαχία από τις παρακείμενες γραμμές σημάτων 32b και 32c στο ηλεκτρόδιο 25 εικονοκυττάρου μέσω του στρώματος ημιαγωγών.
