A field emission display device (1) includes a cathode plate (20), an
electrically resistive buffer (30) made from carbon formed on the cathode
plate, electron emitters (40) made from carbon formed on the buffer, and
an anode plate (50) spaced from the electron emitters thereby defining an
interspace region therebetween. Each electron emitter includes a nano-rod.
The combined buffer and electron emitters has a gradient distribution of
electrical resistivity such that highest electrical resistivity is nearest
the cathode plate and lowest electrical resistivity is nearest the anode
plate. When emitting voltage is applied between the cathode and anode
plates, electrons emitted from the electron emitters traverse the
interspace region and are received by the anode plate. Because of the
gradient distribution of electrical resistivity, only a very low emitting
voltage needs to be applied. Other embodiments include single walled and
multi-walled nanotubes (40', 40").
Un visualizzatore dell'emissione del campo (1) include una piastra del catodo (20), un amplificatore elettricamente resistente (30) ha fatto da carbonio formato sulla piastra del catodo, gli emettitori dell'elettrone (40) hanno fatto da carbonio formato sull'amplificatore e una piastra dell'anodo (50) distanziata dagli emettitori dell'elettrone quindi che definiscono una regione del interspace therebetween. Ogni emettitore dell'elettrone include un nano-asta. Gli emettitori uniti dell'elettrone e dell'amplificatore ha una distribuzione di pendenza di resistività elettrica tali che l'più alta resistività elettrica è più vicina la piastra del catodo e la resistività elettrica più bassa è più vicina la piastra dell'anodo. Quando emettere la tensione è applicata fra il catodo e le piastre dell'anodo, elettroni emessi trasversalmente dagli emettitori dell'elettrone la regione del interspace ed è ricevuta dalla piastra dell'anodo. A causa della distribuzione di pendenza di resistività elettrica, soltanto una tensione d'emissione molto bassa deve essere applicata. Altri incorporamenti includono i singoli nanotubes walled e multi-multi-walled (40 ', 40").
