A method for forming silicon quantum dots and a method for fabricating a
nonvolatile memory device using the same, suitable for high speed and high
packing density. The method for forming silicon quantum dots includes the
steps of forming a first insulating film on a semiconductor substrate,
forming a plurality of nano-crystalline silicons on the first insulating
film, forming a second insulating film on the first insulating film
including the nano-crystalline silicons, partially etching the second
insulating film and the nano-crystalline silicons, and oxidizing surfaces
of the nano-crystalline silicons.
Un metodo per formare i puntini di quantum del silicone e un metodo per fabbricare un dispositivo di memoria non volatile usando lo stesso, adatti per la densità di intasamento ad alta velocità ed alta. Il metodo per formare i puntini di quantum del silicone include i punti di formare una prima pellicola isolante su un substrato a semiconduttore, di formare una pluralità di silicons nano-cristallini sulla prima pellicola isolante, di formare una seconda pellicola isolante sulla prima pellicola isolante compreso i silicons nano-cristallini, parzialmente di incidere la seconda pellicola isolante ed i silicons all'acquaforte nano-cristallini e di ossidazione delle superfici dei silicons nano-cristallini.
