Ohmic contact formation inclusive of Carbon films on 4H and 6H n-type
Silicon Carbide is disclosed. Contact formation includes an initial RF
sputtering to produce an amorphous Carbon film with the sp.sup.2 /sp.sup.3
Carbon ratio of about 1.0 measured by X-ray photoelectron spectroscopy.
This Carbon film gradually evolves from sp.sup.3 to sp.sup.2 structures of
high sp.sup.2 content during an annealing at temperatures ranging from
600.degree. C. to 1350.degree. C. depending on the substrate doping
levels, between 10.sup.16 and 10.sup.19, employed. Formation of sp.sup.2
Carbon is accelerated by the presence of metal and gaseous catalytic
agents including for example nickel and argon. The sp.sup.2 Carbon
structures consist especially of nano-size graphitic flakes and also of
amorphous aromatic-like Carbon structures, and polyene-like Carbon
structures, as are revealed by Raman spectroscopy. Ohmic contact is
achieved when a sufficient amount of nano-graphitic flakes are formed at
the selected annealing temperature.
La formación óhmica del contacto inclusiva de las películas del carbón en 4H y 6H el n-tipo carburo del silicio se divulga. La formación del contacto incluye un RF inicial que farfulla para producir una película amorfa del carbón con el cociente del carbón de sp.sup.2 /sp.sup.3 de cerca de 1.0 medidos por espectroscopia del fotoelectrón de X-ray. Esta película del carbón se desarrolla gradualmente de sp.sup.3 a las estructuras sp.sup.2 del alto contenido sp.sup.2 durante un recocido en las temperaturas que se extienden de 600.degree. C. a 1350.degree. La C. dependiendo del substrato que dopaba niveles, entre 10.sup.16 y 10.sup.19, empleó. La formación del carbón sp.sup.2 es acelerada por la presencia del metal y de los agentes catalíticos gaseosos incluyendo por ejemplo el níquel y el argón. Las estructuras del carbón sp.sup.2 consisten especialmente en escamas grafíticas del nano-tamaño y también en amorfo aroma'tico-como las estructuras del carbón, y polyene-como las estructuras del carbón, como son revelados por la espectroscopia de Raman. Se alcanza el contacto óhmico cuando una suficiente cantidad de escamas nano-grafi'ticas se forma en la temperatura que recuece seleccionada.
