The present invention provide a vertical nano-sized transistor using carbon
nanotubes capable of achieving high-density integration, that is, tera-bit
scale integration, and a manufacturing method thereof, wherein in the
vertical nano-sized transistor using carbon nanotubes, holes having
diameters of several nanometers are formed in an insulating layer and are
spaced at intervals of several nanometers. Carbon nanotubes are vertically
aligned in the nano-sized holes by chemical vapor deposition,
electrophoresis or mechanical compression to be used as channels. A gate
is formed in the vicinity of the carbon nanotubes using an ordinary
semiconductor manufacturing method, and then a source and a drain are
formed at lower and upper parts of each of the carbon nanotubes thereby
fabricating the vertical nano-sized transistor having an electrically
switching characteristic.
De onderhavige uitvinding verstrekt een verticale nano-gerangschikte transistor gebruikend koolstof nanotubes geschikt om high-density integratie te bereiken, namelijk tera-beetje schaalintegratie, en een productiemethode daarvan, waarin in de verticale nano-gerangschikte transistor die koolstof gebruikt nanotubes, de gaten die diameters van verscheidene nanometers hebben in een het isoleren laag worden gevormd en uit elkaar geplaatst met intervallen van verscheidene nanometers. De koolstof wordt nanotubes verticaal gericht in de nano-gerangschikte gaten door chemische dampdeposito, elektroforese of mechanische compressie dat als kanalen moet worden gebruikt. Een poort wordt gevormd in de buurt van de koolstof nanotubes gebruikend een gewone halfgeleider productiemethode, en dan worden een bron en een afvoerkanaal gevormd bij lagere en hogere delen van elk van de koolstof nanotubes daardoor vervaardigend de verticale nano-gerangschikte transistor die een elektrisch het schakelen kenmerk heeft.
