A ferroelectric memory device and a method of fabricating the same are
provided. The ferroelectric memory device includes at least two capacitor
patterns and a plate line. Each of the capacitor patterns includes a lower
electrode, a ferroelectric layer, and an upper electrode that are stacked
on a semiconductor substrate. A top of the plate line is covered with an
oxygen barrier layer, and a sidewall of the plate line is covered with an
oxygen barrier spacer.
Un dispositivo de memoria ferroelectric y un método de fabricar igual se proporcionan. El dispositivo de memoria ferroelectric incluye por lo menos dos patrones del condensador y una línea de la placa. Cada uno de los patrones del condensador incluye un electrodo más bajo, una capa ferroelectric, y un electrodo superior que se apilan en un substrato del semiconductor. Una tapa de la línea de la placa se cubre con una capa de barrera del oxígeno, y un flanco de la línea de la placa se cubre con un espaciador de la barrera del oxígeno.
